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机构名称：
¥ 1.0
摘要：SIGE BICMOS技术可用于生产超快速的低功率硅像素传感器，即使没有内部增益也可以提供最新的时间分辨率。此类传感器的开发需要识别和控制主要因素，这些因素可能会降低正时性能以及传感器时间分辨率对放大功率消耗的依赖性的表征。用IHP微电子学中SG13G2技术产生的原型传感器的90 SR源的测量结果显示，在7 µA的放大电流下，在150 µA的功率消耗下的放大电流时的时间分辨率为140 ps。用于校正时间步行的信号时阈值测量的分辨率是影响该原型的时机性能的主要因素。
arxiv：2005.14161v2 [physics.ins-det] 2020年8月28日
主要关键词
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